ИССЛЕДОВАНИЕ НАГРЕВА И РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ В
ИМПЛАНТИРОВАННОМ КРЕМНИИ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ СВЕТОВОМ ОБЛУЧЕНИИ
                             // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2010 N3

Фаррахов Булат Фасимович; Фаттахов Яхъя Валиевич; Галяутдинов Мансур Фаляхутдинович; Захаров Максим Викторович

dc.contributor.author	Фаррахов Булат Фасимович
dc.contributor.author	Галяутдинов Мансур Фаляхутдинович
dc.contributor.author	Фаттахов Яхъя Валиевич
dc.contributor.author	Захаров Максим Викторович
dc.date.accessioned	2015-06-04T10:00:27Z
dc.date.available	2015-06-04T10:00:27Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.issn	1815-6088
dc.identifier.uri	http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/19784
dc.description.abstract	В работе предложен и реализован бесконтактный метод исследования динамики нагрева и твердофазной рекристаллизации имплантированных полупроводников непосредственно во время проведения импульсного светового отжига. Данная методика, основанная на регистрации оптических дифракционных сигналов от специальных периодических структур, позволяет с высоким временным разрешением определять такие характеристики, как температура и длительность процесса твердофазной рекристаллизации, время начала плавления ионно-легированного слоя полупроводника.
dc.publisher	Казанский (Приволжский) федеральный университет
dc.relation.ispartofseries	Ученые записки КФУ. Физико-математические науки
dc.title	ИССЛЕДОВАНИЕ НАГРЕВА И РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ИМПЛАНТИРОВАННОМ КРЕМНИИ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ СВЕТОВОМ ОБЛУЧЕНИИ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2010 N3
dc.type	Article
dc.relation.ispartofseries-issue	3
dc.collection	Периодические издания КФУ
dc.relation.startpage	164
dc.source.id	ELIB18156088-2010-3-24