Аннотации:
В работе предложен и реализован бесконтактный метод исследования
динамики нагрева и твердофазной рекристаллизации имплантированных
полупроводников непосредственно во время проведения импульсного
светового отжига. Данная методика, основанная на регистрации
оптических дифракционных сигналов от специальных периодических
структур, позволяет с высоким временным разрешением определять
такие характеристики, как температура и длительность процесса
твердофазной рекристаллизации, время начала плавления
ионно-легированного слоя полупроводника.