Явления неустойчивости в полупроводниках: нарушение закона Ома, эффект Ганна

Abstract

Справочный материал содержит описание физических процессов, составляющих основу принципа действия генератора Ганна. Даны представления о явлениях неустойчивости в полупроводниках, о первых экспериментах по обнаружению такой неустойчивости, эффекта Ганна. Обсуждаются различные механизмы таких неустойчивостей и условия их реализации (условия функционирования генератора Ганна).