Abstract:
Предложена новая методика регистрации спектров ступенчатой (через
возбужденное состояние) ионизации примесных ионов в кристаллах,
основанная на анализе зависимости кинетики люминесценции образцов
от длины волны излучения возбуждения. Приведены результаты
исследования кинетики 5d-4f-люминесценции ионов Ce в
кристаллах двойных фторидах со структурой шеелита. Определены
спектральные зависимости сечения поглощения из возбужденных
5d-состояний ионов Ce в кристаллах LiMeF (Me=Y,Lu),
сечения ионизации индуцируемых излучением возбуждения центров
окраски, а также значения сечений рекомбинации и захвата свободных
носителей заряда дефектами кристаллической решетки.