Abstract:
Представлены результаты экспериментов по фемтосекундному
четырехволновому смешению в кристалле CdS и в слое двумерного
электронного газа на границе гетероперехода GaAs/AlGaAs при
комнатной температуре. Определены время фазовой релаксации и
значения коэффициента диффузии для спинов и электронов. Особенности
кривых спада когерентного отклика позволяют предположить, что
причиной дефазировки является экситон-экситонное взаимодействие.
Обсуждается концепция лазерного охлаждения полупроводников и
гетероструктур