О НЕКОТОРЫХ ВОЗМОЖНОСТЯХ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ЯВЛЕНИЙ ТЕПЛОМАССОПЕРЕНОСА В ОДНОРОДНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

Abstract

Описаны основные математические модели и узловые моменты их использования для моделирования процессов тепломассопереноса, обусловленного киловольтными элек- тронами в полупроводниковых материалах. Дифференциальные уравнения тепломас- сопереноса записаны для одномерных процессов, реализующихся при использовании ши- роких электронных пучков, и тр¨ехмерных процессов, реализующихся при использова- нии сфокусированных электронных пучков - электронных зондов. Проведена оцен- ка возможности использования тр¨ехмерной модели для моделирования распределения тепла в полупроводниковых мишенях при низких энергиях электронного зонда. Рас- смотрены некоторые возможности использования предлагаемых подходов для мате- матического моделирования явлений тепломассопереноса в многослойных структу- рах.

The basic mathematical models and nodal moments of their usage for mathematical modeling of heat and mass transfer processes, caused by kilovolt electrons in semiconductor materials are described. Differential heat and mass transfer equations are written down for one-dimensional processes realized by the use of wide electron beams, and three-dimensional processes use of focused electron beams - electron probes. An assessment the possibility of using a three-dimensional models for modeling the heat distribution in semiconductor targets at low electron probe energies carried out. Some possibilities of using the proposed approaches for mathematical modeling of the phenomena of heat and mass transfer in multilayer structures are examined.