DIFFERENCE IN DBD DEVELOPMENT IN AIR AT 
NANOSECOND AND MICROSECOND VOLTAGE RISE TIME

Shershunova E.A.; Moshkunov S.I.; Khomich V.Yu.

Главная
→
Конференции, круглые столы, семинары КФУ
→
"ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017
→
Просмотр элемента

DIFFERENCE IN DBD DEVELOPMENT IN AIR AT NANOSECOND AND MICROSECOND VOLTAGE RISE TIME

Khomich V.Yu.; Moshkunov S.I.; Shershunova E.A.

URI: http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/117448

Дата: 2017

Аннотации:

Analysis of the discharge current waveform, E/N and ionization rate (α-η) showed that different modes of dielectric barrier discharge (DBD) were realized in 1-mm air gap at nanosecond (ns) and microsecond (us) voltage fall and rise time at the gap

Показать полную информацию

Файлы в этом документе

Имя: F_FNTP2017_107.pdf

Размер: 443.4Kb

Формат: PDF

Открыть

Данный элемент включен в следующие коллекции

"ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017 [232]
материалы Всероссийской (с международным участием) конференции "Физика низкотемпературной плазмы" ФНТП-2017 (Казань,5 - 9 июня 2017 г), 05.06.2017-09.06.2017