ЧИСЛЕННОЕ РЕШЕНИЕ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ АМОРФНЫХ И КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСТРУКТУР ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Abstract

Кинетическая модель имплантации представлена системой стохастических дифференциальных уравнений в смысле Стратоновича для стохастических динамических переменных (размер кластера, координаты и др.), которые решаются эффективным численным методом, что позволяет анализировать нелинейную стадию фазового превращения, модифицирующего свойства поверхности, сравнить влияние ионных пучков на процессы в твердой и газообразной фазах (на поверхности образца или в его объеме).

The kinetic model of implantation is presented by a system of stochastic differential equations in the sense of Stratonovich for stochastic dynamical variables (cluster size, location, etc.) which can be solved by the efficient numerical method that allows to analyze the nonlinear stage of phase transformation modifying the surface properties, to compare the effect of ion beams on the processes in solid and gaseous phases (on a sample?s surface or in its entirety).