Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Петрушкин Сергей Валериевич | |
dc.date.accessioned | 2015-06-04T10:00:37Z | |
dc.date.available | 2015-06-04T10:00:37Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.issn | 1815-6088 | |
dc.identifier.uri | http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/19963 | |
dc.description.abstract | В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников. | |
dc.relation.ispartofseries | Ученые записки КФУ. Физико-математические науки | |
dc.subject.other | охлаждение | |
dc.subject.other | антистокс | |
dc.subject.other | диагностика | |
dc.subject.other | релаксация | |
dc.subject.other | полупроводники | |
dc.subject.other | температура | |
dc.subject.other | наночастицы | |
dc.subject.other | cooling | |
dc.subject.other | anti-Stokes | |
dc.subject.other | diagnostics | |
dc.subject.other | relaxation | |
dc.subject.other | semiconductors | |
dc.subject.other | temperature | |
dc.subject.other | nanoparticles | |
dc.title | ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ ПАРЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОГО ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2013 том155 N1 | |
dc.type | Article | |
dc.relation.ispartofseries-issue | 1 | |
dc.collection | Периодические издания КФУ | |
dc.relation.startpage | 127 | |
dc.source.id | ELIB18156088-2013-155-1-18 | |
dc.relation.ispartofseries.volume | 155 |