dc.contributor.author |
Петрушкин Сергей Валериевич |
|
dc.date.accessioned |
2015-06-04T10:00:37Z |
|
dc.date.available |
2015-06-04T10:00:37Z |
|
dc.date.issued |
2013 |
|
dc.identifier.issn |
1815-6088 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/19963 |
|
dc.description.abstract |
В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников. |
|
dc.relation.ispartofseries |
Ученые записки КФУ. Физико-математические науки |
|
dc.subject.other |
охлаждение |
|
dc.subject.other |
антистокс |
|
dc.subject.other |
диагностика |
|
dc.subject.other |
релаксация |
|
dc.subject.other |
полупроводники |
|
dc.subject.other |
температура |
|
dc.subject.other |
наночастицы |
|
dc.subject.other |
cooling |
|
dc.subject.other |
anti-Stokes |
|
dc.subject.other |
diagnostics |
|
dc.subject.other |
relaxation |
|
dc.subject.other |
semiconductors |
|
dc.subject.other |
temperature |
|
dc.subject.other |
nanoparticles |
|
dc.title |
ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНЫЕ ПАРЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОГО ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
// Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2013 том155 N1 |
|
dc.type |
Article |
|
dc.relation.ispartofseries-issue |
1 |
|
dc.collection |
Периодические издания КФУ |
|
dc.relation.startpage |
127 |
|
dc.source.id |
ELIB18156088-2013-155-1-18 |
|
dc.relation.ispartofseries.volume |
155 |
|