ФЛУКТУАЦИИ ХВОСТОВ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В РАСПЛАВАХ ГАЛОГЕНИДОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ // Ученые записки КФУ. Физико-математические науки 2010 N1

Abstract

Проведен теоретический анализ строения ионных расплавов. Поскольку за неупорядоченную структуру ионного расплава ответственно случайное тепловое движение его атомов и молекул, установлена взаимосвязь флуктуаций в расположении заряженных частиц солевого расплава с флуктуациями электронных уровней его структурных частиц. На основании электронных спектров поглощения расплавов галогенидов щелочных металлов (ГЩМ) показано, что изменение формы края поглощения исследованных солевых расплавов на хвосте коэффициента поглощения связано с наличием пологого спектра флуктуирующих электронных уровней, простирающихся в запрещенную зону. В ряду расплавов ГЩМ значение коэффициента поглощения на хвостах спектральных кривых уменьшается от LiCl к CsCl и от LiCl к LiJ.