Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Татохина Я. А. (Яна Александровна) | |
dc.date.accessioned | 2022-08-01T20:44:14Z | |
dc.date.available | 2022-08-01T20:44:14Z | |
dc.date.issued | 2003 | |
dc.identifier.other | Физико - математические науки | |
dc.identifier.uri | https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/172127 | |
dc.description | Загл. с экрана | |
dc.language | Russian | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Казань Казанский федеральный университет 2019 | |
dc.subject.other | Широкозонные полупроводники -- Структура -- Исследование -- Метод замещения | |
dc.title | Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga₂Se₃ - GaAs и In₂Se₃ - InAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния | |
dc.type | eBook | |
dc.collection | Основной каталог | |
dc.source.id | RU05CLSL05CBOOKS030205C6030571 | |
dc.subject.codVAK | 01.04.07 |