dc.contributor.author |
Татохина Я. А. (Яна Александровна) |
|
dc.date.accessioned |
2022-08-01T20:44:14Z |
|
dc.date.available |
2022-08-01T20:44:14Z |
|
dc.date.issued |
2003 |
|
dc.identifier.other |
Физико - математические науки |
|
dc.identifier.uri |
https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/172127 |
|
dc.description |
Загл. с экрана |
|
dc.language |
Russian |
|
dc.language.iso |
ru |
|
dc.publisher |
Казань Казанский федеральный университет 2019 |
|
dc.subject.other |
Широкозонные полупроводники -- Структура -- Исследование -- Метод замещения |
|
dc.title |
Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga₂Se₃ - GaAs и In₂Se₃ - InAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния |
|
dc.type |
eBook |
|
dc.collection |
Основной каталог |
|
dc.source.id |
RU05CLSL05CBOOKS030205C6030571 |
|
dc.subject.codVAK |
01.04.07 |
|