Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 - физика полупроводников

dc.contributor.author	Яскевич Т. М. (Тамара Михайловна)
dc.date.accessioned	2022-02-01T20:32:33Z
dc.date.available	2022-02-01T20:32:33Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.other	Физико - математические науки
dc.identifier.uri	https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/167895
dc.language	Russian
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Казань Казанский федеральный университет 2018
dc.subject.other	Полупроводники -- Структура -- Авторефераты диссертаций
dc.subject.other	Фотопроводники -- Применение в дозиметрии рентгеновских лучей -- Авторефераты диссертаций
dc.title	Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 - физика полупроводников
dc.type	eBook
dc.collection	Основной каталог
dc.source.id	RU05CLSL05CBOOKS030205C5330308
dc.source.id	42013097
dc.subject.codVAK	01.04.10

Файлы в этом документе

Размер: 8.271Mb

Формат: PDF

Авторефераты диссертаций [18953]
Коллекция содержит авторефераты диссертаций, защищенных в Казанском федеральном университете (до 2009 г. Казанский государственный университет)