Электронный архив

Transport of electrons on liquid helium in a microchannel device near the current threshold

Показать сокращенную информацию

dc.contributor.author Beysengulov N.
dc.contributor.author Rees D.
dc.contributor.author Tayurskii D.
dc.contributor.author Kono K.
dc.date.accessioned 2018-09-19T20:12:35Z
dc.date.available 2018-09-19T20:12:35Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.issn 0021-3640
dc.identifier.uri https://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/142694
dc.description.abstract © 2016, Pleiades Publishing, Inc.We study the transport of strongly interacting electrons on the surface of liquid helium confined in a microchannel geometry, near the current threshold point. The current threshold depends on the electrostatic confinement, created by the microchannel electrodes, and on the electrostatic potential of electron system. Depending on the geometry of the microchannel, the current pinch-off can occur at the center or move to the edges of the microchannel, as confirmed by Finite Element Model calculations. The confining potential dependence of electron conductivity above the current threshold point is consistent with a classical charge continuum model. However, we find that below the threshold point electron transport is suppressed due to charging energy effects.
dc.relation.ispartofseries JETP Letters
dc.title Transport of electrons on liquid helium in a microchannel device near the current threshold
dc.type Article
dc.relation.ispartofseries-issue 5
dc.relation.ispartofseries-volume 104
dc.collection Публикации сотрудников КФУ
dc.relation.startpage 323
dc.source.id SCOPUS00213640-2016-104-5-SID84987650915


Файлы в этом документе

Данный элемент включен в следующие коллекции

  • Публикации сотрудников КФУ Scopus [24551]
    Коллекция содержит публикации сотрудников Казанского федерального (до 2010 года Казанского государственного) университета, проиндексированные в БД Scopus, начиная с 1970г.

Показать сокращенную информацию

Поиск в электронном архиве


Расширенный поиск

Просмотр

Моя учетная запись

Статистика