ХОЛОДНЫЙ ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ

dc.contributor	Казанский (Приволжский) федеральный университет
dc.contributor.author	Константинов В.О.	ru_RU
dc.contributor.author	Шарафутдинов Р.Г.	ru_RU
dc.contributor.author	Щукин В.Г.	ru_RU
dc.date.accessioned	2018-01-10T13:07:18Z
dc.date.available	2018-01-10T13:07:18Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.uri	http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/117440
dc.description.abstract	Разработан и создан холодный плазмотрон, позволяющий проводить осаждение слоев кремния в форвакуумном диапазоне давлений. Достигнуты значения КПД источника электронов свыше 80% при энергии пучка порядка 1 кэВ.	ru_RU
dc.description.abstract	A cold plasmatron was developed and constructed, which makes possible to carry out silicon layers deposition in the forevacuum range of pressures. The efficiency of an electron source is over 80% at electron beam energy about 1 keV.	en_US
dc.relation.ispartofseries	"ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017	ru_RU
dc.subject	-	ru_RU
dc.subject	-	en_US
dc.title	ХОЛОДНЫЙ ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ	ru_RU
dc.title.alternative	COLD PLASMATRON FOR TECHNOLOGY OF SILICON LAYERS DEPOSITION	en_US
dc.type	article
dc.identifier.udk	-
dc.description.pages	203-203

Файлы в этом документе

Размер: 363.6Kb

Формат: PDF

"ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017 [232]
материалы Всероссийской (с международным участием) конференции "Физика низкотемпературной плазмы" ФНТП-2017 (Казань,5 - 9 июня 2017 г), 05.06.2017-09.06.2017