Kazan Federal University Digital Repository
ХОЛОДНЫЙ ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor | Казанский (Приволжский) федеральный университет | |
| dc.contributor.author | Константинов В.О. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Шарафутдинов Р.Г. | ru_RU |
| dc.contributor.author | Щукин В.Г. | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2018-01-10T13:07:18Z | |
| dc.date.available | 2018-01-10T13:07:18Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/117440 | |
| dc.description.abstract | Разработан и создан холодный плазмотрон, позволяющий проводить осаждение слоев кремния в форвакуумном диапазоне давлений. Достигнуты значения КПД источника электронов свыше 80% при энергии пучка порядка 1 кэВ. | ru_RU |
| dc.description.abstract | A cold plasmatron was developed and constructed, which makes possible to carry out silicon layers deposition in the forevacuum range of pressures. The efficiency of an electron source is over 80% at electron beam energy about 1 keV. | en_US |
| dc.relation.ispartofseries | "ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017 | ru_RU |
| dc.subject | - | ru_RU |
| dc.subject | - | en_US |
| dc.title | ХОЛОДНЫЙ ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ | ru_RU |
| dc.title.alternative | COLD PLASMATRON FOR TECHNOLOGY OF SILICON LAYERS DEPOSITION | en_US |
| dc.type | article | |
| dc.identifier.udk | - | |
| dc.description.pages | 203-203 |
Files in this item
This item appears in the following Collection(s)
-
"ФИЗИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЫ" ФНТП-2017 [232]
материалы Всероссийской (с международным участием) конференции "Физика низкотемпературной плазмы" ФНТП-2017 (Казань,5 - 9 июня 2017 г), 05.06.2017-09.06.2017