Явления неустойчивости в полупроводниках: нарушение закона Ома, эффект Ганна

Садыков, Эдгар Камилович

dc.contributor	Казанский федеральный университет	ru_RU
dc.contributor.author	Садыков, Эдгар Камилович	ru_RU
dc.date.accessioned	2015-06-23T10:59:23Z
dc.date.available	2015-06-23T10:59:23Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.uri	http://dspace.kpfu.ru/xmlui/handle/net/20360
dc.description.abstract	Справочный материал содержит описание физических процессов, составляющих основу принципа действия генератора Ганна. Даны представления о явлениях неустойчивости в полупроводниках, о первых экспериментах по обнаружению такой неустойчивости, эффекта Ганна. Обсуждаются различные механизмы таких неустойчивостей и условия их реализации (условия функционирования генератора Ганна).	ru_RU
dc.subject	Эффект Ганна	ru_RU
dc.subject	горячие электроны	ru_RU
dc.subject	отрицательная дифференциальная проводимость	ru_RU
dc.subject	домены сильного поля	ru_RU
dc.subject	междолинные переходы	ru_RU
dc.title	Явления неустойчивости в полупроводниках: нарушение закона Ома, эффект Ганна	ru_RU
dc.type	Book	ru_RU
dc.contributor.org	Институт физики	ru_RU
dc.contributor.chair	Кафедра физики твердого тела	ru_RU
dc.description.course	Прикладные аспекты физики	ru_RU