ХОЛОДНЫЙ ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ КРЕМНИЯ

Abstract

Разработан и создан холодный плазмотрон, позволяющий проводить осаждение слоев кремния в форвакуумном диапазоне давлений. Достигнуты значения КПД источника электронов свыше 80% при энергии пучка порядка 1 кэВ.

A cold plasmatron was developed and constructed, which makes possible to carry out silicon layers deposition in the forevacuum range of pressures. The efficiency of an electron source is over 80% at electron beam energy about 1 keV.